RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1958
2487
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link