RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2955
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link