RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3485
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link