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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
40
左右 -111% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
19
读取速度,GB/s
12.3
20.3
写入速度,GB/s
8.9
16.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3485
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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