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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
9.3
17.0
写入速度,GB/s
5.9
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3142
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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