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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
33
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
18
读取速度,GB/s
17.6
21.1
写入速度,GB/s
12.0
16.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3971
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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