RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2843
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link