RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2843
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link