RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3404
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link