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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
40
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3404
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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