RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4182
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link