RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3672
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link