RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3497
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link