RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2991
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link