RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2933
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link