RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2974
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link