RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3062
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link