RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3062
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link