RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
166
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
166
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1107
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link