RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2750
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link