RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2750
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link