RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2750
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link