RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3222
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link