RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2618
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link