RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2618
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link