RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3663
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link