RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3138
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link