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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.9
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3138
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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