RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
40
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3380
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link