RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
40
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3380
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link