RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3779
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link