RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4506
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link