RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3157
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link