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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3157
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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