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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
16.1
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3157
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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