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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
53
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
53
读取速度,GB/s
11.9
20.0
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2366
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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