RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3866
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link