RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3164
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link