RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3428
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link