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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
50
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
30
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3428
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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