RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2893
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link