RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2354
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link