RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2354
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link