RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2354
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link