RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1967
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link