RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1967
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link