RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
66
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1953
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link