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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
66
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
66
读取速度,GB/s
12.3
15.9
写入速度,GB/s
8.9
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1953
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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