RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2168
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link