RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2672
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link