RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2427
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link