RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
42
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2427
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link