RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2136
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link