RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
60
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2136
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link