RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2757
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link